Intel promet un billion de transistors sur une puce à l'horizon 2030

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Oui, vous avez bien lu, un « billion » et pas le billion américain, mais bien le français, un millier de milliards.

Dans la stratégie de communication d'Intel, il y a les annonces concernant le présent et d'autres plutôt calées sur le long terme. Ce « billion de transistors » à l'horizon 2030 appartient logiquement à la seconde catégorie. Explications.À l'occasion de l'International Electron Devices Meeting 2022 qui se tient du 3 au 7 décembre à San Francisco, Intel a célébré les 75 ans du transistor.

Intel a démontré qu'il était possible de fabriquer des nanofeuilles empilées avec une grille tout autour en utilisant un matériau de canal 2D de seulement 3 atomes d'épaisseur en remplacement du Si, tout en réalisant une commutation quasi idéale des transistors à température ambiante avec un faible courant de fuite. Il s'agit de deux percées essentielles pour l'empilement des transistors GAA.

Pour utiliser plus efficacement la surface de la puce, Intel redéfinit la mise à l'échelle en développant une mémoire qui peut être placée verticalement au-dessus des transistors.

En rapprochant le monde de la transition au-delà de la 5G et en résolvant les problèmes d'efficacité énergétique, Intel construit une voie viable vers des plaquettes de GaN sur silicium de 300 mm. Les percées d'Intel dans ce domaine représentent un gain de 20x par rapport à la norme industrielle GaN et établissent un record industriel, un chiffre de mérite pour fournir de l'énergie à haute performance.

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